서버 DRAM
DDR5 RDIMM·MRDIMM. 32GB부터 256GB까지. 6,400~8,800MT/s. 전체 매출의 58%를 차지합니다.

Memory
10나노급 1c 공정과 EUV 다중 패터닝으로 서버·모바일·그래픽 DRAM을 만듭니다.
Overview
메모리사업부는 DRAM 단일 제품군을 담당합니다. 화성 캠퍼스 M1·M3 두 개 라인에서 월 32만 장(12인치 환산)을 투입하며, 이 가운데 58%가 서버용 DDR5입니다.
2024년 4분기부터 10나노급 5세대인 1c 공정을 양산에 적용했습니다. 1b 대비 비트 밀도가 22% 높아졌고 동일 용량 기준 전력이 14% 낮아졌습니다. EUV 레이어는 1b의 3개에서 1c에서 5개로 늘렸습니다.
수요는 서버가 끌고 갑니다. AI 학습 서버 한 대에 들어가는 DRAM 용량이 2022년 평균 1.5TB에서 2025년 4.6TB로 늘면서, 128GB 이상 고용량 RDIMM 비중이 매출의 41%까지 올라왔습니다.

Process
| 공정 세대 | 적용 시점 | EUV 레이어 | 비트 밀도 | 동작 전압 | 주력 제품 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1a (4세대) | 2021년 3분기 | 1개 | 기준 100 | 1.10V | DDR4 32GB RDIMM |
| 1b (5세대) | 2023년 1분기 | 3개 | 128 | 1.10V | DDR5 64GB RDIMM |
| 1c (6세대) | 2024년 4분기 | 5개 | 156 | 1.05V | DDR5 128GB RDIMM |
| 1d (7세대) | 2026년 하반기 예정 | 7개 | 181 (목표) | 1.00V (목표) | DDR5 256GB · HBM4 코어 |
비트 밀도는 1a 를 100으로 둔 상대값입니다. 1d 수치는 시험 라인 목표치이며 양산 확정값이 아닙니다.



Lineup
DDR5 RDIMM·MRDIMM. 32GB부터 256GB까지. 6,400~8,800MT/s. 전체 매출의 58%를 차지합니다.
LPDDR5X 패키지. 12GB·16GB·24GB. 최대 10,700Mbps. 스마트폰과 온디바이스 AI 노트북에 들어갑니다.
GDDR7 2GB·3GB 다이. 핀당 32Gbps. 게이밍 GPU와 추론 가속기 보드에 공급합니다.


Capacity
12인치 환산. M1 14만 · M3 18만
1c 공정 2025년 4분기 평균
부문 매출 중 서버 DRAM
서버 ODM 11곳, 세트업체 22곳 포함

Reliability
서버 DRAM은 속도보다 무고장 시간이 먼저입니다. 넥서스일렉은 출하 전 모든 모듈에 85°C·85% 습도 조건으로 1,000시간 가속 시험을 적용하고, 로트당 32개를 뽑아 파괴 분석합니다.
온다이 ECC 에 더해 모듈 단에서 링크 ECC 를 지원합니다. 데이터센터 실측 기준 정정 불가 오류율은 모듈당 연간 0.0021% 입니다.
2025년 출하한 서버 모듈 1,180만 개 중 필드 반품은 214개였습니다. 백만 개당 18개 수준입니다.



Flow
용량·속도·모듈 형상과 연간 물량을 확정합니다. 통상 3주.
엔지니어링 샘플 30~100개를 4주 안에 보냅니다.
고객 플랫폼에서 호환성과 신호 무결성을 확인합니다. 6~10주.
초도 로트 3회를 연속 합격해야 승인됩니다.
주간 단위 출하. 물량 변동은 6주 전 통보가 원칙입니다.


